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  • 1
  • NE5510379A-T1
  • NEC Electronics, Inc.
  • 4.8 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 900 MHz 3 W TRANSMISSION AMPLIFIER
  • 8页
  • 57K
  • 2
  • NE5510279A-T1
  • NEC Corporation
  • 4.8 V Operation Silicon RF Power LDMOS FET for 1.8 GHz 2 W Transmission Amplifiers
  • 10页
  • 60K
  • 3
  • NE5510179A-T1
  • NEC Electronics, Inc.
  • 3.6 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 1.9 GHz 1 W TRANSMISSION AMPLIFIER
  • 8页
  • 60K
  • 4
  • NE5510179A-T1
  • NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
  • 3.5 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIER
  • 4页
  • 40K
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