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  • 文件大小
  • 101
  • MRF148A
  • Motorola Inc.
  • RF Power Field-Effect Transistor
  • 6页
  • 135K
  • 102
  • MRF148A
  • M/A-COM
  • 30 W, to 175 MHz N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET
  • 6页
  • 169K
  • 103
  • MRF141G
  • M/A-COM
  • 300 W, 28 V, 175 MHz N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
  • 9页
  • 220K
  • 104
  • MRF141
  • M/A-COM
  • 150 W, 28 V, 175 MHz N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
  • 10页
  • 205K
  • 105
  • MRF140
  • M/A-COM
  • 150 W, to 150 MHz N-CHANNEL MOS LINEAR RF POWER FET
  • 8页
  • 204K
  • 106
  • MRF137
  • Advanced Semiconductor Inc. (ASI)
  • RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
  • 1页
  • 17K
  • 107
  • MRF137
  • M/A-COM
  • 30 W, to 400 MHz N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
  • 9页
  • 213K
  • 108
  • MRF136Y
  • M/A-COM
  • 30 W, to 400 MHz N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
  • 9页
  • 221K
  • 109
  • MRF134
  • M/A-COM
  • 5.0 W, to 400 MHz N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
  • 10页
  • 208K
  • 110
  • MRF10502
  • Motorola Inc.
  • Microwave Pulse Power Transistor
  • 4页
  • 103K
  • 111
  • MRF1047T1
  • Motorola Inc.
  • NPN Silicon Low Noise Transistor
  • 12页
  • 163K
  • 112
  • MRF1047T1
  • Motorola Inc.
  • NPN Silicon Low Noise Transistor
  • 8页
  • 118K
  • 113
  • MRF10150
  • Motorola Inc.
  • Microwave Pulse Power Transistor
  • 4页
  • 99K
  • 114
  • MRF1001A
  • Microsemi Corporation
  • RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTOR
  • 4页
  • 200K
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