国内专业的IC销售商 --中其伟业科技有限公司
简体中文
您所在的位置: 首页 > PDF资料 搜索IC型号:IRF530
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 厂家
  • 页数
  • 文件大小
  • 4
  • IRF530S
  • International Rectifier Corp.
  • HEXFET Power MOSFET
  • 6页
  • 180K
  • 5
  • IRF530NSTRR
  • International Rectifier Corp.
  • HEXFET Power MOSFET
  • 10页
  • 610K
  • 6
  • IRF530NSTRL
  • International Rectifier Corp.
  • HEXFET Power MOSFET
  • 10页
  • 610K
  • 7
  • IRF530NS
  • International Rectifier Corp.
  • HEXFET Power MOSFET
  • 10页
  • 610K
  • 8
  • IRF530NL
  • International Rectifier Corp.
  • HEXFET Power MOSFET
  • 10页
  • 610K
  • 9
  • IRF530N
  • Philips Semiconductors
  • N-Channel TrenchMOS Transistor
  • 7页
  • 98K
  • 10
  • IRF530N
  • International Rectifier Corp.
  • HEXFET Power MOSFET
  • 8页
  • 212K
  • 11
  • IRF530FP
  • ST Microelectronics
  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
  • 5页
  • 77K
  • 12
  • IRF530FI
  • ST Microelectronics
  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
  • 6页
  • 47K
  • 13
  • IRF530A
  • Fairchild Semiconductor
  • Advanced Power MOSFET
  • 7页
  • 254K
  • 14
  • IRF5305STRR
  • International Rectifier Corp.
  • HEXFET Power MOSFET
  • 10页
  • 171K
  • 15
  • IRF5305STRL
  • International Rectifier Corp.
  • HEXFET Power MOSFET
  • 10页
  • 171K
  • 16
  • IRF5305S
  • International Rectifier Corp.
  • HEXFET Power MOSFET
  • 10页
  • 171K
  • 17
  • IRF5305L
  • International Rectifier Corp.
  • HEXFET Power MOSFET
  • 10页
  • 171K
  • 18
  • IRF5305
  • International Rectifier Corp.
  • HEXFET Power MOSFET
  • 8页
  • 124K
  • 19
  • IRF530
  • ON Semiconductor
  • TMOS E-FET Power Field Effect Transistor
  • 8页
  • 166K
  • 20
  • IRF530
  • ST Microelectronics
  • N-Channel 100 V - 0.115 ohm - 14 A TO-220 Low Gate Charge STripFET II Power MOSFET
  • 8页
  • 281K
共 1 页 | 第 1 页 |  首页 上一页 下一页 尾页 转到: