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  • GT40T301
  • Toshiba America, Inc.
  • Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
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  • GT40T101
  • Toshiba America, Inc.
  • Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel MOS Type
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  • 3
  • GT40Q321
  • Toshiba
  • Injection Enhanced Gate Transistor
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  • 4
  • GT40M301
  • Toshiba America, Inc.
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL IGBT
  • 6页
  • 381K
  • 5
  • GT40M101
  • Toshiba America, Inc.
  • Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N-Channel IGBT
  • 4页
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  • 6
  • GT40G121
  • Toshiba America, Inc.
  • Silicon N Channel IGBT
  • 5页
  • 261K
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