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  • GT10Q301
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON N CHANNEL IGBT
  • 7页
  • 321K
  • 2
  • GT10Q101
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
  • 5页
  • 289K
  • 3
  • GT10J312SM
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON N CHANNEL IGBT
  • 7页
  • 476K
  • 4
  • GT10J312(SM)
  • Toshiba America, Inc.
  • Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N-Channel IGBT
  • 7页
  • 476K
  • 5
  • GT10J312
  • Toshiba America, Inc.
  • Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N-Channel IGBT
  • 7页
  • 476K
  • 6
  • GT10J311
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON N CHANNEL IGBT
  • 7页
  • 460K
  • 7
  • GT10J303
  • Toshiba America, Inc.
  • Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
  • 7页
  • 463K
  • 8
  • GT10J301
  • Toshiba America, Inc.
  • Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
  • 6页
  • 321K
  • 9
  • GT10-TX
  • GTran Inc.
  • Transmitter
  • 2页
  • 170K
  • 10
  • GT10-RX
  • GTran Inc.
  • Receiver
  • 2页
  • 170K
  • 12
  • GT10-5500
  • GTran Inc.
  • OC-192 Receiver Module with Integrated Limiting Amplifier
  • 6页
  • 194K
  • 13
  • GT10-5000LA
  • GTran Inc.
  • 12.5 GB/s Limiting Amplifier
  • 8页
  • 362K
  • 15
  • GT10-5000LA
  • GTran Inc.
  • high-performance SiGe 12.5Gb/s limiting amplifier IC designed
  • 1页
  • 148K
  • 26
  • GT10-1550TRS
  • GTran Inc.
  • fully integrated, self-contained 10Gb/s electro-optical data transponder
  • 1页
  • 96K
  • 28
  • GT10-1310TRS
  • GTran Inc.
  • fully integrated, self contained 10Gb/s electro-optical data transponder
  • 1页
  • 96K
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