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  • 2SK3179
  • Toshiba America, Inc.
  • Field Effect Transistor GaAs N Channel Single Gate Modulation Dope Type
  • 12页
  • 791K
  • 2
  • 2SK3177
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
  • 9页
  • 51K
  • 3
  • 2SK3176
  • Toshiba America, Inc.
  • Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Pi-MOS V)
  • 2页
  • 139K
  • 4
  • 2SK3175A
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier
  • 10页
  • 102K
  • 5
  • 2SK3174A
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier
  • 10页
  • 107K
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