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  • 2SJ319S
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon P-Channel MOS FET
  • 8页
  • 53K
  • 3
  • 2SJ319L
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon P-Channel MOS FET
  • 8页
  • 53K
  • 4
  • 2SJ319(S)
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon P-Channel MOS FET
  • 13页
  • 70K
  • 5
  • 2SJ319(L)
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon P-Channel MOS FET
  • 13页
  • 70K
  • 6
  • 2SJ318S
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon P-Channel MOS FET
  • 8页
  • 53K
  • 7
  • 2SJ318L
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon P-Channel MOS FET
  • 8页
  • 53K
  • 8
  • 2SJ317
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon P-Channel MOS FET
  • 10页
  • 53K
  • 9
  • 2SJ315
  • Toshiba America, Inc.
  • FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(LL-pi-MOS IV)
  • 2页
  • 123K
  • 10
  • 2SJ314-01S
  • Fuji Electric Holdings Co., Ltd.
  • P-Channel Silicon Power MOS-FET
  • 4页
  • 136K
  • 11
  • 2SJ314-01L
  • Fuji Electric Holdings Co., Ltd.
  • P-Channel Silicon Power MOS-FET
  • 4页
  • 136K
  • 12
  • 2SJ313
  • Toshiba America, Inc.
  • FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE
  • 3页
  • 176K
  • 13
  • 2SJ312(SM)
  • Toshiba America, Inc.
  • Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (Power (L, 2)-Pi-MOS IV)
  • 5页
  • 291K
  • 14
  • 2SJ312
  • Toshiba America, Inc.
  • Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (Power (L, 2)-Pi-MOS IV)
  • 5页
  • 291K
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