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  • 2SD1229
  • Sanyo Semiconductor Corporation
  • PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor
  • 4页
  • 126K
  • 2
  • 2SD1224
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)(DARLINGTON)
  • 5页
  • 209K
  • 3
  • 2SD1223
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)(DARLINGTON)
  • 5页
  • 206K
  • 4
  • 2SD1222
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)(DARLINGTON)
  • 5页
  • 5759K
  • 5
  • 2SD1221
  • Toshiba America, Inc.
  • Silicon NPN Triple Diffused Type Transistor
  • 4页
  • 1487K
  • 6
  • 2SD1220
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
  • 4页
  • 6250K
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