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  • 2SC5178-T2
  • NEC Electronics, Inc.
  • NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
  • 12页
  • 50K
  • 52
  • 2SC5178-T1
  • NEC Electronics, Inc.
  • NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
  • 12页
  • 50K
  • 53
  • 2SC5177-T2
  • NEC Electronics, Inc.
  • NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
  • 12页
  • 46K
  • 54
  • 2SC5177-T1
  • NEC Electronics, Inc.
  • NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
  • 12页
  • 46K
  • 55
  • 2SC5176
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
  • 5页
  • 235K
  • 56
  • 2SC5175
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
  • 3页
  • 183K
  • 57
  • 2SC5174
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR
  • 3页
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  • 58
  • 2SC5173
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSE TYPE(PCT PROCESS)
  • 4页
  • 230K
  • 59
  • 2SC5172
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE(PCT PROCESS)
  • 4页
  • 191K
  • 60
  • 2SC5171
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
  • 3页
  • 168K
  • 61
  • 2SC5161TLB
  • ROHM CO., LTD.
  • High Voltage Switching Transistor (400 V, 2 A)
  • 3页
  • 72K
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  • 2SC5161
  • ROHM CO., LTD.
  • High voltage switching transistor
  • 3页
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  • 63
  • 2SC5155
  • Sanyo Semiconductor Corporation
  • NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
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  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
  • 4页
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  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
  • 4页
  • 210K
  • 66
  • 2SC5149
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
  • 4页
  • 193K
  • 67
  • 2SC5148
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
  • 4页
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  • 68
  • 2SC5145
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)
  • 3页
  • 181K
  • 69
  • 2SC5145
  • 松下資訊科技
  • Silicon NPN triple diffusion planar type
  • 4页
  • 59K
  • 70
  • 2SC5144
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
  • 4页
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  • 71
  • 2SC5143
  • Toshiba America, Inc.
  • FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
  • 4页
  • 191K
  • 72
  • 2SC5142
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
  • 4页
  • 204K
  • 73
  • 2SC5141
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon NPN Epitaxial
  • 8页
  • 56K
  • 74
  • 2SC5140
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon NPN Epitaxial
  • 8页
  • 56K
  • 75
  • 2SC5139
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon NPN Epitaxial
  • 10页
  • 72K
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  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon NPN Epitaxial
  • 7页
  • 41K
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  • 2SC5137
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon NPN Epitaxial
  • 10页
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  • 2SC5136
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon NPN Epitaxial
  • 8页
  • 58K
  • 79
  • 2SC5136
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon NPN Epitaxial
  • 8页
  • 56K
  • 80
  • 2SC5132A
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon NPN Triple Diffused Planar
  • 6页
  • 34K
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  • 2SC5130
  • Allegro MicroSystems, Inc.
  • Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor)
  • 1页
  • 24K
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  • 2SC5129
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
  • 4页
  • 210K
  • 83
  • 2SC5125
  • Mitsubishi Electric Corporation
  • NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
  • 2页
  • 97K
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  • 2SC5124
  • Allegro MicroSystems, Inc.
  • Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor)
  • 1页
  • 24K
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  • 2SC5122
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
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  • 171K
  • 86
  • 2SC5121
  • Panasonic Industrial Sales (Taiwan) Co., Ltd.
  • Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type Power Transistor
  • 3页
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  • 87
  • 2SC5120
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon NPN Epitaxial
  • 6页
  • 34K
  • 88
  • 2SC5111FT
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
  • 1页
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  • 89
  • 2SC5111F-Y
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
  • 1页
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  • 2SC5111F-O
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
  • 1页
  • 912K
  • 91
  • 2SC5111F
  • Toshiba America, Inc.
  • Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
  • 1页
  • 912K
  • 92
  • 2SC5111-Y
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
  • 4页
  • 2493K
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  • 2SC5111-O
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
  • 4页
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  • 2SC5111
  • Toshiba America, Inc.
  • Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
  • 4页
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  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
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  • 2SC5110-O
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
  • 4页
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  • 2SC5110
  • Toshiba America, Inc.
  • Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
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  • 98
  • 2SC5109-Y
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
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  • 2SC5109-O
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
  • 4页
  • 2491K
  • 100
  • 2SC5109
  • Toshiba America, Inc.
  • Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
  • 4页
  • 2491K
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