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  • 2SC3669
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
  • 5页
  • 192K
  • 2
  • 2SC3668
  • Toshiba America, Inc.
  • Silicon NPN Epitaxial Type Transistor
  • 5页
  • 217K
  • 3
  • 2SC3666
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
  • 3页
  • 175K
  • 4
  • 2SC3665
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
  • 3页
  • 175K
  • 5
  • 2SC3664
  • Sanyo Semiconductor Corporation
  • NPN Triple Diffused Planar Type Darlington Silicon Transistor
  • 3页
  • 33K
  • 6
  • 2SC3663
  • NEC Electronics, Inc.
  • NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
  • 8页
  • 104K
  • 7
  • 2SC3663
  • NEC Electronics, Inc.
  • NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
  • 8页
  • 104K
  • 8
  • 2SC3661
  • Sanyo Semiconductor Corporation
  • NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
  • 3页
  • 87K
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