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  • 2SC3329
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
  • 4页
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  • 2
  • 2SC3329
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) TRANSISTOR
  • 5页
  • 237K
  • 3
  • 2SC3328
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) TRANSISTOR
  • 5页
  • 214K
  • 4
  • 2SC3327
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR
  • 4页
  • 199K
  • 5
  • 2SC3326
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) TRANSISTOR
  • 5页
  • 207K
  • 6
  • 2SC3325
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
  • 3页
  • 138K
  • 7
  • 2SC3325
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) TRANSISTOR
  • 4页
  • 168K
  • 8
  • 2SC3324
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
  • 3页
  • 218K
  • 9
  • 2SC3324
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) TRANSISTOR
  • 4页
  • 235K
  • 10
  • 2SC3322
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon NPN Tirple Diffused
  • 7页
  • 45K
  • 11
  • 2SC3320
  • Fuji Electric Holdings Co., Ltd.
  • Power Transistor
  • 2页
  • 220K
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