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  • 2SC2717
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
  • 4页
  • 180K
  • 2
  • 2SC2716-Y
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISSTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
  • 4页
  • 222K
  • 3
  • 2SC2716-R
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISSTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
  • 4页
  • 222K
  • 4
  • 2SC2716-O
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISSTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
  • 4页
  • 222K
  • 5
  • 2SC2716
  • Toshiba America, Inc.
  • Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT Process)
  • 4页
  • 222K
  • 6
  • 2SC2715-Y
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)
  • 7页
  • 331K
  • 7
  • 2SC2715-R
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)
  • 7页
  • 331K
  • 8
  • 2SC2715-O
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)
  • 7页
  • 331K
  • 9
  • 2SC2715
  • Shenzhen Yongerjia Electronic Co., Ltd.
  • NPN Epitaxial Silicon Transistor
  • 1页
  • 79K
  • 10
  • 2SC2715
  • Toshiba America, Inc.
  • Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT Process)
  • 7页
  • 331K
  • 11
  • 2SC2714-Y
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)
  • 6页
  • 341K
  • 12
  • 2SC2714-R
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)
  • 6页
  • 341K
  • 13
  • 2SC2714-O
  • Toshiba America, Inc.
  • TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)
  • 6页
  • 341K
  • 14
  • 2SC2714
  • Toshiba America, Inc.
  • Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type (PCT Process)
  • 6页
  • 341K
  • 15
  • 2SC2713
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
  • 5页
  • 234K
  • 16
  • 2SC2713
  • Toshiba America, Inc.
  • TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE(PCT PROCESS)
  • 4页
  • 205K
  • 17
  • 2SC2712
  • Toshiba America, Inc.
  • Transistor Silicon NPN epitaxial Type (PCT Process)
  • 3页
  • 210K
  • 18
  • 2SC2710
  • Toshiba America, Inc.
  • SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
  • 3页
  • 161K
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