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  • 1SS379
  • Toshiba America, Inc.
  • Diode Silicon Epitaxial Planar Type
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  • 1SS379
  • Toshiba America, Inc.
  • DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR
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  • 3
  • 1SS378
  • Toshiba America, Inc.
  • DIODE
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  • 4
  • 1SS378
  • Toshiba America, Inc.
  • Epitaxial Planar Schottky Barrier Type
  • 2页
  • 114K
  • 5
  • 1SS377
  • Toshiba America, Inc.
  • DIODE
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  • 121K
  • 6
  • 1SS377
  • Toshiba America, Inc.
  • Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
  • 2页
  • 148K
  • 7
  • 1SS376
  • ROHM CO., LTD.
  • Switching diode
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  • 53K
  • 8
  • 1SS375
  • Sanyo Semiconductor Corporation
  • Schottky Barrier Diode
  • 2页
  • 50K
  • 9
  • 1SS374
  • Toshiba America, Inc.
  • DIODE
  • 2页
  • 124K
  • 10
  • 1SS374
  • Toshiba America, Inc.
  • Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
  • 2页
  • 156K
  • 11
  • 1SS373
  • Toshiba America, Inc.
  • Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
  • 2页
  • 143K
  • 12
  • 1SS373
  • Toshiba America, Inc.
  • DIODE
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  • 121K
  • 13
  • 1SS372
  • Toshiba America, Inc.
  • DIODE
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  • 14
  • 1SS372
  • Toshiba America, Inc.
  • Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type
  • 2页
  • 145K
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