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  • 101
  • 1N5817TR
  • International Rectifier Corp.
  • Schottky Rectifier
  • 5页
  • 73K
  • 102
  • 1N5817RL
  • ON Semiconductor
  • Axial Lead Rectifier
  • 8页
  • 65K
  • 103
  • 1N5817M
  • Diodes, Inc.
  • 1.0 A Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
  • 2页
  • 52K
  • 104
  • 1N5817L
  • Bytesonic Electronics Co., Ltd.
  • 1.0 A Schottky Barrier Rectifier
  • 2页
  • 152K
  • 105
  • 1N5817G
  • Microsemi Corporation
  • 1 A Schottky Rectifier
  • 3页
  • 116K
  • 106
  • 1N5817CE
  • Promax-Johnton Corp.
  • 1.0 A Schottky Barrier Rectifier
  • 2页
  • 169K
  • 107
  • 1N5817
  • Philips Semiconductors
  • Schottky Barrier Diode
  • 9页
  • 43K
  • 108
  • 1N5817
  • Bytesonic Electronics Co., Ltd.
  • 1.0 A Schottky Barrier Rectifier
  • 2页
  • 152K
  • 109
  • 1N5817
  • BeiJing FeiDa Electronics Group Company
  • 1.0 A Schottky Barrier Diode
  • 2页
  • 269K
  • 110
  • 1N5817
  • ON Semiconductor
  • Axial Lead Rectifier
  • 8页
  • 65K
  • 111
  • 1N5817
  • Mospec Semiconductor Corp.
  • Schottky Barrier Rectifier
  • 2页
  • 168K
  • 112
  • 1N5817
  • Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
  • 1.0 A Schottky Barrier Rectifier
  • 2页
  • 80K
  • 113
  • 1N5817
  • Micro Commercial Components
  • 1 A Schottky Barrier Rectifier
  • 2页
  • 207K
  • 114
  • 1N5817
  • International Rectifier Corp.
  • Schottky Rectifier
  • 5页
  • 73K
  • 115
  • 1N5817
  • Fairchild Semiconductor
  • Schottky Rectifier
  • 3页
  • 41K
  • 116
  • 1N5817
  • Diodes, Inc.
  • 1.0 A Schottky Barrier Rectifier
  • 2页
  • 44K
  • 117
  • 1N5816R
  • Microsemi Corporation
  • Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 114K
  • 118
  • 1N5816KCE
  • Microsemi Corporation
  • Ultrafast Rectifier Die
  • 1页
  • 91K
  • 119
  • 1N5816HCE
  • Microsemi Corporation
  • Ultrafast Rectifier Die
  • 1页
  • 91K
  • 120
  • 1N5816AR
  • Microsemi Corporation
  • Military Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 118K
  • 121
  • 1N5816A
  • Microsemi Corporation
  • Military Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 118K
  • 122
  • 1N5816
  • Microsemi Corporation
  • Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 114K
  • 123
  • 1N5815R
  • Microsemi Corporation
  • Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 114K
  • 124
  • 1N5815
  • Microsemi Corporation
  • Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 114K
  • 125
  • 1N5814R
  • Microsemi Corporation
  • Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 114K
  • 126
  • 1N5814KCE
  • Microsemi Corporation
  • Ultrafast Rectifier Die
  • 1页
  • 91K
  • 127
  • 1N5814HCE
  • Microsemi Corporation
  • Ultrafast Rectifier Die
  • 1页
  • 91K
  • 128
  • 1N5814AR
  • Microsemi Corporation
  • Military Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 118K
  • 129
  • 1N5814A
  • Microsemi Corporation
  • Military Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 118K
  • 130
  • 1N5814
  • Microsemi Corporation
  • Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 114K
  • 131
  • 1N5813R
  • Microsemi Corporation
  • Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 114K
  • 132
  • 1N5813
  • Microsemi Corporation
  • Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 114K
  • 133
  • 1N5812R
  • Microsemi Corporation
  • Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 114K
  • 134
  • 1N5812KCE
  • Microsemi Corporation
  • Ultrafast Rectifier Die
  • 1页
  • 91K
  • 135
  • 1N5812HCE
  • Microsemi Corporation
  • Ultrafast Rectifier Die
  • 1页
  • 91K
  • 136
  • 1N5812AR
  • Microsemi Corporation
  • Military Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 118K
  • 137
  • 1N5812A
  • Microsemi Corporation
  • Military Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 118K
  • 138
  • 1N5812
  • Microsemi Corporation
  • Ultra Fast Recovery Rectifier
  • 2页
  • 114K
  • 139
  • 1N5811XD-T39L
  • Semelab
  • DUAL COMMON CATHODE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER IN A LOW PROFILE HERMETIC TO39 PACKAGE
  • 1页
  • 13K
  • 140
  • 1N5811US
  • Semtech International AG
  • ULTRAFAST RECOVERY
  • 3页
  • 43K
  • 141
  • 1N5811
  • Sussex Semiconductor, Inc.
  • RECTIFIER DIE
  • 4页
  • 87K
  • 142
  • 1N5811
  • Semtech International AG
  • AXIAL LEADED HERMETICALLY SEALED SUPER FAST RECTIFIER DIODE
  • 3页
  • 74K
  • 143
  • 1N5811
  • Microsemi Corporation
  • RECTIFIER
  • 3页
  • 133K
  • 144
  • 1N5810
  • Sussex Semiconductor, Inc.
  • RECTIFIER DIE
  • 4页
  • 87K
  • 145
  • 1N5809US
  • Semtech International AG
  • ULTRAFAST RECOVERY
  • 3页
  • 43K
  • 146
  • 1N5809
  • Microsemi Corporation
  • RECTIFIER
  • 3页
  • 133K
  • 147
  • 1N5809
  • Sussex Semiconductor, Inc.
  • RECTIFIER DIE
  • 4页
  • 87K
  • 148
  • 1N5809
  • Semtech International AG
  • AXIAL LEADED HERMETICALLY SEALED SUPER FAST RECTIFIER DIODE
  • 3页
  • 74K
  • 149
  • 1N5809
  • Microsemi Corporation
  • 6 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 100 VOLTS
  • 3页
  • 46K
  • 150
  • 1N5808
  • Sussex Semiconductor, Inc.
  • RECTIFIER DIE
  • 4页
  • 87K
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