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  • 501
  • 125NQ015
  • International Rectifier Corp.
  • Schottky Rectifier
  • 4页
  • 94K
  • 502
  • 125NQ015R
  • International Rectifier Corp.
  • Schottky Rectifier
  • 4页
  • 94K
  • 503
  • 1N34A
  • Microsemi Corporation
  • Gold Bonded Germanium Diode
  • 1页
  • 62K
  • 504
  • 2MBI75S-120
  • Power-sem Technique Co. Ltd.
  • IGBTs
  • 页
  • K
  • 505
  • 2N5875
  • Mospec Semiconductor Corp.
  • Complementary Silicon High-Power Transistor
  • 3页
  • 124K
  • 506
  • 2N5876
  • Mospec Semiconductor Corp.
  • Complementary Silicon High-Power Transistor
  • 3页
  • 124K
  • 507
  • 2N5877
  • Mospec Semiconductor Corp.
  • Complementary Silicon High-Power Transistor
  • 3页
  • 124K
  • 508
  • 2N5878
  • Mospec Semiconductor Corp.
  • Complementary Silicon High-Power Transistor
  • 3页
  • 124K
  • 509
  • 2S3021
  • Microwave & Video Systems, Inc. (MVS)
  • SPDT SWITCH ( 2 - 18 GHz )
  • 1页
  • 224K
  • 510
  • 2S3022
  • Microwave & Video Systems, Inc. (MVS)
  • SPDT SWITCH ( 2 - 18 GHz )
  • 1页
  • 224K
  • 511
  • 2S3023
  • Microwave & Video Systems, Inc. (MVS)
  • SPDT SWITCH ( 2 - 18 GHz )
  • 1页
  • 224K
  • 512
  • 2S3024
  • Microwave & Video Systems, Inc. (MVS)
  • SPDT SWITCH ( 2 - 18 GHz )
  • 1页
  • 224K
  • 513
  • 2SB649
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon PNP Epitaxial
  • 7页
  • 45K
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